3月13日，国内硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率半导体龙头英诺赛科宣布，美国海关与边境保护局（CBP）作出裁定，明确其新一代GaN产品不受ITC在337-TA-1366案中发布的有限排除令（LEO）限制，彻底扫清美国市场准入障碍，后续产品可正常进入美国市场。该裁定发布于2026年2月20日，英诺赛科这款高能效、高功率密度的GaN产品，将赋能AI数据中心、机器人、光伏微型逆变器及电动车电源系统等

2月3日，英诺赛科官网发布公告，宣布旗下相关氮化镓（GaN）产品已完成谷歌AI硬件平台设计导入，并正式签订合规供货协议，彰显其在GaN领域的技术、性能及品质领先地位。后续英诺赛科将聚焦AI服务器、数据中心等高增长领域，联动产业链伙伴推进产品商业化落地，同步跟进项目进展并按规则披露相关动态。此前英诺赛科在AI及数据中心领域已斩获多项突破：2025年上半年，相关业务销售同比暴涨180%，100VGaN

2025年12月，功率半导体领域传来重磅消息：安森美与英诺赛科正式签署合作备忘录，聚焦40-200V中低压氮化镓器件展开深度协作。此次双方优势互补——英诺赛科输出成熟氮化镓技术与量产能力，安森美贡献系统集成及封装实力，直指氮化镓普及路上的产能与成本两大核心瓶颈。这场合作瞄准的是潜力巨大的市场。Yole数据显示，2030年全球氮化镓功率器件市场规模将达29亿美元，2024至2030年复合年增长率高达

全球领先的氮化镓（GaN）供应商英诺赛科（Innoscience）宣布，推出两款基于100V双冷却En-FCLGA封装的新产品——INN100EA050DAD和INN100EA070DAD。这两款产品可助力太阳能微型逆变器、储能系统（ESS，直流输入）及最大功率点跟踪（MPPT）优化器实现最高效率。产品概况与封装优势两款新品INN100EA050DAD和INN100EA070DAD，采用与此前发布